弱酸阳离子交换纤维柱富集-电感耦合等离子体原子发射光谱法测定水样中的稀土

提出了聚丙烯基弱酸性阳离子交换纤维柱富集痕量稀土元素,1.0 mol/L HCl溶液作为洗脱剂,电感耦合等离子体原子发射光谱法测定水样中稀土元素的方法。在优化的试验条件下,弱酸性阳离子交换纤维对La、Nd、Eu、Gd、Er和Yb的吸附容量分别为86.5,98.2,98.7,99.2,84.9,91.5 mg/g;La、...     

基波平衡原理在多端口网络的应用

对于网络仅含一个压控非线性元件,用基波平衡原理由输入导纳G=0,B=0求振荡频率ω和基波振幅Um.如果有合理的(ω,Um)∈R2,则网络存在有周期振荡或混沌振荡.对于网络含有两个压控的非线性元件,可以用埃米特式计算进入双口网络的实功P和虚功Q,由输入功率P=0,Q=0求振荡频率ω和基波振幅Um.如果存在有一组合理的(ω,Um) ∈R2,则网络存在有周期振荡.如果存在有多于两组合理的(ω,Um) ∈R2,则网络存在有混沌振荡.     

模糊判断矩阵一致性检验与校正新方法

借助于贴近度,给出一个判别模糊判断矩阵一致性程度的指标,并提出一种新的校正模糊判断矩阵一致性的方法;最后进行了算例分析.     

离差最大化特征加权模糊C-划分的聚类分析

聚类分析中每个样本用一个m维向量来表征,每个分量描述样本的一个特征,由于对特征的提取不够完善,使得m维向量的每个分量对聚类贡献不均.基于此本文利用向量间离差最大化对样本的每个分量即特征进行加权,提出一种新的加权模糊c-划分的聚类分析法,一定程度上克服了模糊c-划分的聚类分析对每个特征等同对待不足,又保持其算法的收敛性,最后给出一个算例说明此算法的优越性.     

用两端对称缺陷复合光子晶体实现多通道滤波和光开关

用传输矩阵法计算了两端对称缺陷复合光子晶体结构的光传输特性。计算结果表明:两端对称缺陷复合光子晶体[D(AB)mD]2结构中的禁带出现两个完全共振透射峰。通过控制入射光强来微调光子晶体材料的介电常数,使得完全共振透射峰移动,且介电常数变化越大,共振透射峰偏移越大,从而形成高效率的双通道光开关。当光子晶体为[D(AB)mD]N结构时,每个完全共振透射峰都分裂为N-1条,这样可通过调节N同时实现所需要通道数目的高效多通道光开关和多通道滤波器。     

Ni-Zn合金物相分析的实验研究

利用X射线物相分析技术,辅以金相分析方法、差热分析技术研究了Ni-Zn体系的4个合金.实验结果表明,Ni-Zn合金系中存在中间化合物NiZn3,该化合物稳定地存在于650℃到室温之间.400℃下NiZn3(75%Zn)化合物的点阵常量为a=3.31919(4)nm,b=0.8866(2)nm,c=1.2518(2)nm.     

介质厚度对光量子阱束缚态波长的调整

用传输矩阵法计算了不同介质厚度对光量子阱结构的传输特性。计算结果表明:光子的束缚效应将导致波长的量子化。通过微小地改变阱区和垒区介质的厚度可改变束缚态的波长,且阱区和垒区介质厚度的变化与束缚态波长的变化呈良好的线性关系,阱区介质厚度的变化对束缚态波长的变化大于垒区。阱区介质厚度与束缚态半峰宽呈阶梯形状降低,而阱区介质厚度与束缚态品质因子呈阶梯形状升高。此结果为设计所需要的束缚态波长光量子阱结构提供了理论依据,也为光量子阱实现热敏开关提供了理论基础。     

基于遗传算法的弹性地基加肋板肋梁无网格优化分析

基于遗传算法及一阶剪切理论,提出一种弹性地基上加肋板肋条位置优化的无网格方法.首先,通过一系列点来离散平板及肋条,并用弹簧模拟弹性地基,从而得到加肋板的无网格模型;其次,基于一阶剪切理论及移动最小二乘近似原理导出位移场,求出弹性地基加肋板总势能;再次,根据哈密顿原理导出结构的弯曲控制方程,并通过完全转换法处理边界条件;最后,引入遗传算法和改进遗传算法,以肋条的位置为设计变量、弹性地基板的中心点挠度最小值为目标函数,对肋条位置进行优化达到地基板控制点挠度最小的目的.以不同参数、载荷布置形式的弹性地基加肋板为例,与ABAQUS有限元结果及文献解进行比较.研究表明,采用所提出的无网格模型可有效求解弹性地基上加肋板弯曲问题,结果易收敛,同时基于遗传算法与改进混合遗传算法所提出的无网格优化方法均可有效优化弹性地基加肋板肋条位置,后者计算效率相对较高,只进行了三次迭代便可获得稳定的最优解,此外在优化过程中肋条位置改变时只需要重新计算位移转换矩阵,又避免了网格重构.     

n-In0.35Ga0.65N/p-Si异质结的制备及其电学性能研究

采用双光路双靶材脉冲激光沉积(PLD)系统在p-Si衬底上外延生长InGaN薄膜,研究了InGaN薄膜的显微组织结构和n-InGaN/p-Si异质结的电学性能。研究表明,InGaN薄膜为单晶结构,沿[0001]方向择优生长,薄膜表面光滑致密,In的原子含量为35%。霍尔(Hall)效应测试表明In_0.35Ga_0.65N薄膜呈n型半导体特性,具有高的载流子浓度和迁移率及低的电阻率。I-V曲线分析表明In_0.35Ga_0.65N/p-Si异质结具有良好的整流特性,在±4 V时的整流比为25,开路电压为1.32 V。In_0.35Ga_0.65N/p-Si异质结中存在热辅助载流子隧穿和复合隧穿两种电流传输机制。经拟合,得到异质结的反向饱和电流为1.05×10^-8 A,势垒高度为0.86 eV,理想因子为6.87。     

新型氨基嘧啶环戊并[b]吲哚衍生物的合成及抗肿瘤活性

3-吲哚丙酸为原料，经环化、N-甲基化、Claisen-Schmidt缩合、环加成反应得到新型氨基嘧啶环戊并[b]吲哚衍生物。经¹HNMR、¹³CNMR以及HR-MS（ESI）表征。采用细胞增殖抑制实验法（MTT法）测定6a~6j对人肝癌（HepG-2）、人子宫颈癌（Hela）和人鼻咽癌（CNE-1）瘤株的体外抑制活性。6b对这些肿瘤细胞的抑制活性最好，其IC50值分别为大于50 μmol/L（HepG-2）、15.2 μmol/L（Hela）和14.8 μmol/L（CNE-1），但均弱于顺铂。